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ECE MS论文答辩：杨伯祥

题目：GaN/ScAlN异质结构中温度相关电子迁移率的澳门威尼斯人注册网站研究

主持人：杨伯祥

指导老师：Enrico Bellotti教授

委员会：Sahar Sharifzadeh教授和Li Min-Chang教授

摘要：iii -氮化物半导体异质结构已成为下一代电子器件的关键材料。AlGaN/GaN和ScAlN/GaN等结构在高功率、高频和高温应用中表现出巨大的前景。它们独特的材料特性满足了对更高效电子元件日益增长的需求。本文通过Poisson-Schrödinger求解和玻尔兹曼输运计算相结合的方法澳门威尼斯人注册网站研究了AlGaN/GaN和ScAlN/GaN异质结构中的电子输运机制，重点澳门威尼斯人注册网站研究了极化效应和散射机制对载流子迁移率的影响。澳门威尼斯人注册网站研究结果强调了一个关键的设计权衡：ScAlN/GaN可以实现更高的载流子密度，增强电流处理能力，而AlGaN/GaN提供了卓越的载流子迁移率，使其更适合高频性能。